不管是老手媽媽還是新手媽媽都看這邊！我們都知道所有的產品裡，小朋友的商品應該是最難選的
小朋友長得又快，過了一個時期又瞬間抽高，怎麼選是一門很大的學問了，也可以避免買錯捶心肝~~
因為網路很發達，臉書又這麼普及媽咪買東西更是方便，尤其媽咪一定會到很多親子網站或是親子社團去了解產品的優缺點
不過看了這麼多網站真真假假的資料，【KLORANE bebe蔻蘿蘭寶寶】金盞花洗髮沐浴精500ml是我在看到最多人推薦的好物
對於我這個精打細算的好媳婦好媽媽來說，真是太棒囉！
通常有在關注相關婦幼產品的媽媽，不用考慮了，這款是我花有夠多時間才彙整出來的好物，不怕比較的啦
很多媽咪也都大推這款產品，真的很值得入手！
到貨速度也很快，光這一點就大推了！
所以我個人對【KLORANE bebe蔻蘿蘭寶寶】金盞花洗髮沐浴精500ml的評比如下
質感：★★★★
使用爽感：★★★★☆
性能價格：★★★★☆
趁現在宅經濟發酵，大家又很保護小朋友不隨意出門，網購就變成媽咪們在家的興趣了~
而且廠商優惠只在這個時候~~
不然被掃光了也只能怪自己速度不夠快～下次記得手刀加速啊!
詳細介紹如下~參考一下吧
完整產品說明
品牌名稱
包裝組合
- 單入組
商品規格
- 商品名稱：KLORANE bebe蔻蘿蘭寶寶 金盞花洗髮沐浴精500ml
容量規格：KLORANE bebe蔻蘿蘭寶寶 金盞花洗髮沐浴精500ml
注意事項：皮膚不適時，請停止使用。
保存方法：本品請保持溫度25℃，請存放於陰涼乾燥處，避免陽光直射及高溫。
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2001 年，加州大學伯克利分校胡正明教授提出 FinFET方案。2011 年，英特爾正式商用 FinFET 工藝技術，之後臺積電也迅速跟進，在 16nm 節點中使用了 FinFET。從 16/14nm 開始，FinFET 成為了半導體器件的主流選擇。 FinFET 稱為鰭式場效電晶體（FinField-EffectTransistor；FinFET）是一種新的互補式金氧半導體（CMOS）電晶體。閘長已可小於 25 奈米，未來預期可以進一步縮小至 9 納米，約是人類頭髮寬度的 1 萬分之 1。 傳統平面的電晶體所採用的是 FD-SOI工藝。雖然這幾年的 FinFET 工藝占據了大多數人的視線，但是 FD-SOI 工藝依然非常重要。如果要是 FinFET 工藝核 FD-SOI 達到相同性能，FD-SOI 工藝在製造過程中相對簡單，但是 SOI 基片價格稍貴，而 FinFET 工藝雖然製造過程更為複雜，但是由於基片價格便宜，讓兩者的實際製造成本相差不大。 但是，由於工藝要求更高，FinFET 工藝在 5nm 以下節點遇到了問題。到了 5nm 節點後，雖然已經使用上了 EUV 光刻技術，但是基於 FinFET 結構進行的晶片尺寸的縮小，就變得更加困難。FinFET 工藝製造、研發成本也越來越高，即使在 7nm、5nm 仍能堅持，但是再往前似乎已經是力不從心。 ... 隨著電晶體尺度向 5nm 甚至 3nm 邁進，FinFET 本身的尺寸已經縮小至極限後，無論是鰭片距離、短溝道效應、還是漏電和材料極限也使得電晶體製造變得岌岌可危，甚至物理結構都無法完成。 不過，代工巨頭們並沒有回頭再去深究 FD-SOI 工藝，而是對環繞柵極（GAA）器件產生了極大的興趣。與 FinFET 工藝中的立體溝道三面都被柵極圍繞不同，到了 GAA，溝道由納米線（nanowire）構成，其四面都被柵極圍繞，從而再度增強柵極對溝道的控制能力，有效減少漏電。 總體而言，GAA 製造方式主要是通過外延反應器在集體上製造出超晶格結構，這樣的結構至少需要矽鍺材料或者三層矽材料堆疊而成，並且還需要形成 STI 淺槽隔離，接下來需要多晶矽偽柵成像、隔離層和內部隔離層成型、漏極和源極外延、溝道釋放、高 K 金屬柵極成型、隔離層中空、環形觸點成型等。 外界傳言，臺積電在 3nm 節點可能沒有三星這麼激進，繼續沿用 FinFET 工藝的可能性存在，在第二代 3nm 或 2nm 上才會升級到 GAA 電晶體技術。但英特爾和三星很可能押寶在 GAA 技術上，以此來縮小和臺積電之間的差距，甚至是超越臺積電。
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文章來源取自於：
每日頭條 https://kknews.cc/news/6rmvkov.html
MOMO購物網 https://www.momoshop.com.tw/goods/GoodsDetail.jsp?i_code=6954336&memid=6000007380&cid=apuad&oid=1&osm=league
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